řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 28 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 913-4809
- Výrobní číslo:
- IRLR2705TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
12 212,00 Kč
(bez DPH)
14 776,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 6,106 Kč | 12 212,00 Kč |
| 4000 - 4000 | 5,801 Kč | 11 602,00 Kč |
| 6000 + | 5,434 Kč | 10 868,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 913-4809
- Výrobní číslo:
- IRLR2705TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 28 A, maximální ztrátový výkon 68 W - IRLR2705TRPBF
Tento tranzistor MOSFET je navržen pro vynikající výkon v celé řadě elektronických aplikací. Díky moderním pokrokům v technologii MOSFET hraje významnou roli ve spínacích aplikacích, kde je důležitá účinnost a spolehlivost. Díky svým charakteristickým vlastnostem je vynikající volbou pro automatizační a elektrické systémy, které vyžadují vysokou proudovou zatížitelnost a robustní provoz.
Vlastnosti a výhody
• Vysoký trvalý odtokový proud 28 A zlepšuje výkon
• Maximální jmenovité napětí 55 V zvyšuje spínací schopnosti
• Nízký zapínací odpor 65 mΩ minimalizuje energetické ztráty
• Účinně pracuje při teplotách až +175 °C
• Navrženo pro povrchovou montáž v pouzdře DPAK TO-252 pro zvýšení účinnosti
• Konfigurace s jedním režimem vylepšení usnadňuje návrh obvodů
Aplikace
• Vhodné pro řízení napájení v průmyslové automatizaci
• Ideální pro energeticky úsporné spínání v napájecích zdrojích
• Běžně se používají v řídicích obvodech motorů
• Vhodné pro použití v měničích DC-DC
Jaký je maximální ztrátový výkon této součástky?
Maximální ztrátový výkon je 68 W, což umožňuje efektivní řízení tepla během provozu.
Jaký vliv má rozsah provozních teplot na používání?
Přístroj účinně pracuje při teplotách od -55 °C do +175 °C, takže je vhodný pro různé podmínky prostředí.
Je pro tento MOSFET doporučen nějaký specifický způsob instalace?
Zařízení je určeno k povrchové montáži s použitím technik, jako je pájení, aby bylo zajištěno spolehlivé spojení.
Lze tento MOSFET použít paralelně s jinými?
Ano, lze jej použít v paralelních konfiguracích, ale správné řízení teploty je nezbytné, aby se zabránilo přehřátí.
Jaký typ pohonu brány se doporučuje pro optimální výkon?
Pro efektivní spínání se doporučuje použít pohon hradla na logické úrovni, který zajistí, že zařízení bude pracovat v rámci specifikovaných prahových úrovní.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2705TRPBF Typ N-kanálový 28 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 59 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení