řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-5922
- Výrobní číslo:
- IRLR3105TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
15 176,00 Kč
(bez DPH)
18 362,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 7,588 Kč | 15 176,00 Kč |
| 4000 + | 7,208 Kč | 14 416,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5922
- Výrobní číslo:
- IRLR3105TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 43mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 57W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 43mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 57W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 25 A, maximální ztrátový výkon 57 W - IRLR3105TRPBF
Tento tranzistor MOSFET je určen pro vysoce výkonné aplikace, kde je rozhodující řízení elektrického výkonu. Poskytuje efektivní spínání a účinný tepelný management, funguje v širokém rozsahu teplot, a je tak výhodnou volbou pro profesionály v oblasti automatizace, elektroniky a elektrotechniky.
Vlastnosti a výhody
• Zlepšuje účinnost díky nízkému Rds(on) pro snížení ztrát výkonu
• Podporuje maximální trvalý odtokový proud 25 A
• Umožňuje dvě úrovně napětí na hradle a zdroji pro větší flexibilitu
• Zachovává tepelnou stabilitu s maximální provozní teplotou +175 °C
• Kompaktní pouzdro DPAK TO-252 zajišťuje jednoduchou povrchovou montáž
• Navrženo pro rychlé přepínání pro zvýšení výkonu
Aplikace
• Řízení motorových pohonů v automatizačních systémech
• Využívá se v obvodech řízení spotřeby pro energetickou účinnost
• Integrované do měničů DC-DC pro elektronická zařízení
• Vhodné pro průmyslová zařízení vyžadující vysokou spolehlivost
• Použití v systémech řízení baterií pro optimální provoz
Jaký je rozsah provozních teplot?
Rozsah provozních teplot je -55 °C až +175 °C, což nabízí univerzálnost v různých prostředích.
Jak zvládá rychlost přepínání?
Je konstruován pro rychlé spínání, což zajišťuje vysoký výkon v aplikacích vyžadujících rychlé zapínací a vypínací cykly.
Jaký typ montáže podporuje?
Toto zařízení je určeno pro povrchovou montáž pomocí parní fáze, infračerveného nebo vlnového pájení.
Lze jej použít ve vysokonapěťových aplikacích?
Ano, pracuje s maximálním napětím drain-source 55 V, takže je vhodný pro vysokonapěťové obvody.
Jaké aspekty je třeba zohlednit při rozptylu energie?
Rozptýlený výkon může dosahovat až 57 W, přičemž faktor snížení výkonu je 0,38 W/°C, aby byl zajištěn bezpečný provoz v různých tepelných podmínkách.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRLR3105TRPBF Typ N-kanálový 25 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 59 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 28 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 44 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení