řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

12 608,00 Kč

(bez DPH)

15 256,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 12 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2000 +6,304 Kč12 608,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-8749
Výrobní číslo:
IRLR024NTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

17A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Řada

HEXFET

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

15nC

Přímé napětí Vf

1.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

45W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

2.39mm

Délka

6.73mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon


Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy