řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 180-7743
- Výrobní číslo:
- SIS476DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
286,27 Kč
(bez DPH)
346,39 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 28,627 Kč | 286,27 Kč |
| 100 - 240 | 27,244 Kč | 272,44 Kč |
| 250 - 490 | 22,082 Kč | 220,82 Kč |
| 500 - 990 | 17,191 Kč | 171,91 Kč |
| 1000 + | 16,055 Kč | 160,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7743
- Výrobní číslo:
- SIS476DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8 | |
| Řada | TrenchFET Gen IV | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0035Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Šířka | 3.61mm | |
| Délka | 3.61mm | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8 | ||
Řada TrenchFET Gen IV | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0035Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Šířka 3.61mm | ||
Délka 3.61mm | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay SIS476DN je N-kanálový MOSFET s odvodem na zdrojové (VdS) napětí 30V. Napětí mezi hradlem a zdrojem (VGS) je 20 V. Má balení Power pak 1212-8. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,0025 ohmů při 10VGS a 0,0035 ohmů při 4,5VGS. Maximální proud vypouštění 40A.
Příkop FET gen IV výkonový MOSFET
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 N-kanálový 52 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiSS22LDN-T1-GE3 N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen III MOSFET SiSS63DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIJK4810-T1-GE3 N-kanálový 361 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIJK4610-T1-GE3 N-kanálový 461 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový N