řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 N-kanálový 60 A 25 V, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 188-4999
- Výrobní číslo:
- SISF02DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
269,72 Kč
(bez DPH)
326,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 53,944 Kč | 269,72 Kč |
| 50 - 120 | 45,942 Kč | 229,71 Kč |
| 125 - 245 | 37,692 Kč | 188,46 Kč |
| 250 - 495 | 31,418 Kč | 157,09 Kč |
| 500 + | 24,898 Kč | 124,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4999
- Výrobní číslo:
- SISF02DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Řada | TrenchFET Gen IV | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 69.4W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Společný drain | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.4mm | |
| Výška | 0.75mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Řada TrenchFET Gen IV | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 69.4W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Konfigurace tranzistoru Společný drain | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.4mm | ||
Výška 0.75mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Společné vypouštění, duální MOSFET N-Channel, 25 V (S1-S2).
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Velmi nízký odpor mezi zdrojem a zdrojem
Integrované jednokanálové tranzistory MOSFET se společným vypouštěním v kompaktním a tepelně vylepšeném balení
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 N-kanálový 52 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiSS22LDN-T1-GE3 N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen III MOSFET SiSS63DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIJK4810-T1-GE3 N-kanálový 361 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový N