řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 108 A 45 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 200-6847
- Výrobní číslo:
- SISS50DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
1 296,50 Kč
(bez DPH)
1 569,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 13. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 25,93 Kč | 1 296,50 Kč |
| 100 - 200 | 23,346 Kč | 1 167,30 Kč |
| 250 - 450 | 16,865 Kč | 843,25 Kč |
| 500 - 1200 | 15,566 Kč | 778,30 Kč |
| 1250 + | 14,267 Kč | 713,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 200-6847
- Výrobní číslo:
- SISS50DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 108A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 45V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Řada | TrenchFET Gen IV | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.7W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 3.3mm | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 108A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 45V | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Řada TrenchFET Gen IV | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.7W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 3.3mm | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay SISS50DN-T1-GE3 je MOSFET N-kanál 45V (D-s).
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Velmi nízká hodnota RDS(on) v kompaktním pouzdře s vylepšenými tepelnými parametry
Optimalizované hodnoty Qg, Qgd a poměr Qgd/Qgs snižují výkonové ztráty v důsledku spínání
100 % testováno podle Rg a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiSS22LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 52 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 52 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay