řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 108 A 45 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

929,70 Kč

(bez DPH)

1 124,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 29. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
50 - 5018,594 Kč929,70 Kč
100 - 20016,742 Kč837,10 Kč
250 - 45012,088 Kč604,40 Kč
500 - 120011,155 Kč557,75 Kč
1250 +10,226 Kč511,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
200-6847
Výrobní číslo:
SISS50DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

108A

Maximální napětí na zdroji Vds

45V

Typ balení

PowerPAK 1212

Řada

TrenchFET Gen IV

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

4.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

65.7W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

70nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

3.3mm

Normy/schválení

No

Délka

3.3mm

Automobilový standard

Ne

Vishay SISS50DN-T1-GE3 je MOSFET N-kanál 45V (D-s).

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV

Velmi nízká hodnota RDS(on) v kompaktním pouzdře s vylepšenými tepelnými parametry

Optimalizované hodnoty Qg, Qgd a poměr Qgd/Qgs snižují výkonové ztráty v důsledku spínání

100 % testováno podle Rg a UIS

Související odkazy