řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
180-7361
Výrobní číslo:
SIS476DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

TrenchFET Gen IV

Typ balení

PowerPAK 1212-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0035Ω

Maximální ztrátový výkon Pd

52W

Přímé napětí Vf

1.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

51nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.12mm

Šířka

3.61mm

Délka

3.61mm

Normy/schválení

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Vishay SIS476DN je N-kanálový MOSFET s odvodem na zdrojové (VdS) napětí 30V. Napětí mezi hradlem a zdrojem (VGS) je 20 V. Má balení Power pak 1212-8. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,0025 ohmů při 10VGS a 0,0035 ohmů při 4,5VGS. Maximální proud vypouštění 40A.

Příkop FET gen IV výkonový MOSFET

Testováno 100 % RG a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.