řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIJK4810-T1-GE3 N kanál-kanálový 361 A 80 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 790-429
- Výrobní číslo:
- SIJK4810-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 50 kusech)*
5 201,80 Kč
(bez DPH)
6 294,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 104,036 Kč | 5 201,80 Kč |
| 500 - 2450 | 64,65 Kč | 3 232,50 Kč |
| 2500 - 4950 | 49,884 Kč | 2 494,20 Kč |
| 5000 + | 33,799 Kč | 1 689,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-429
- Výrobní číslo:
- SIJK4810-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 361A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Řada | TrenchFET Gen IV | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0018Ω | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 446W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 10mm | |
| Délka | 12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 361A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Řada TrenchFET Gen IV | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0018Ω | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 446W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 10mm | ||
Délka 12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- IL
N-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro efektivní správu napájení v různých aplikacích a je vybaven technologií Advanced TrenchFET Gen IV, která snižuje ztráty při vedení a zlepšuje celkový výkon.
Pracuje s napětím odvodu zdroje až 80 V
Zajišťuje nízký odpor v zapnutém stavu 0,0018 Ω při napětí zdroje hradla 10 V
Jmenovitý proud nepřetržitého vypouštění 361 A
Vyznačuje se Kelvinovým připojením zdroje pro minimalizaci šumu hradla
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiSS22LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIJK4610-T1-GE3 N kanál-kanálový 461 A 60 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 52 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení