řada: TrenchFETMOSFET SIRC06DP-T1-GE3 N-kanálový 60 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Jednoduchý Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Skladové číslo RS:
178-3691
Výrobní číslo:
SIRC06DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

60 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Typ balení

PowerPAK SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

4 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

50 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

38,5 nC při 10 V

Délka

5.99mm

Počet prvků na čip

2

Šířka

5mm

Propustné napětí diody

0.7V

Minimální provozní teplota

-55 °C

Výška

1.07mm

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® s monolitickou Schottkyho diodou

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.