řada: TrenchFET Gen III MOSFET Typ P-kanálový 35 A 20 V Vishay, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6920
- Výrobní číslo:
- SIS415DNT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 165-6920
- Výrobní číslo:
- SIS415DNT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 35A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8 | |
| Řada | TrenchFET Gen III | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0095Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.8mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 3.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8 | ||
Řada TrenchFET Gen III | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0095Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.8mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 3.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen III MOSFET SIS415DNT-T1-GE3 Typ P-kanálový 35 A 20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen III MOSFET SiSS63DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen III MOSFET Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiSS22LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový