řada: TrenchFET Gen III MOSFET SiSS63DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 200-6849
- Výrobní číslo:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, v balení po 50 ks)*
1 486,95 Kč
(bez DPH)
1 799,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 10. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 29,739 Kč | 1 486,95 Kč |
| 100 - 200 | 23,781 Kč | 1 189,05 Kč |
| 250 - 450 | 20,817 Kč | 1 040,85 Kč |
| 500 - 1200 | 17,246 Kč | 862,30 Kč |
| 1250 + | 16,065 Kč | 803,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 200-6849
- Výrobní číslo:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 127.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Řada | TrenchFET Gen III | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 236nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.8W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 3.3mm | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 127.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Řada TrenchFET Gen III | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 236nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.8W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 3.3mm | ||
Šířka 3.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay SiSS63DN-T1-GE3 je 20V (D-s) MOSFET kanálu P.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen III s P-kanálem
Vedení RDS(ON) v kompaktním a tepelně vylepšeném balení
100 % testováno podle Rg a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET Gen III MOSFET SiSS63DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SISF02DN-T1-GE3 N-kanálový 60 A 25 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SISS50DN-T1-GE3 N-kanálový 108 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV Výkonový MOSFET SiSF20DN-T1-GE3 N-kanálový 52 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiSS22LDN-T1-GE3 N-kanálový 92.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SIS476DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SISA04DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení