řada: TrenchFET Gen III MOSFET Typ P-kanálový 127.5 A 20 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

1 290,80 Kč

(bez DPH)

1 561,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
50 - 5025,816 Kč1 290,80 Kč
100 - 20020,649 Kč1 032,45 Kč
250 - 45018,075 Kč903,75 Kč
500 - 120014,968 Kč748,40 Kč
1250 +13,941 Kč697,05 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
200-6849
Výrobní číslo:
SiSS63DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

127.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

TrenchFET Gen III

Typ balení

PowerPAK 1212

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

236nC

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

65.8W

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

3.3mm

Normy/schválení

No

Délka

3.3mm

Automobilový standard

Ne

Vishay SiSS63DN-T1-GE3 je 20V (D-s) MOSFET kanálu P.

Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen III s P-kanálem

Vedení RDS(ON) v kompaktním a tepelně vylepšeném balení

100 % testováno podle Rg a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.