řada: QFET MOSFET FQU13N10LTU N-kanálový 10 A 100 V, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 145-4317
Výrobní číslo:: FQU13N10LTU
Výrobce:: onsemi

řada: QFET MOSFET FQU13N10LTU N-kanálový 10 A 100 V, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Skladové číslo RS:: 145-4317
Výrobní číslo:: FQU13N10LTU
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Automobilový standard	Ne
	Řada	QFET
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)	10 A
	Maximální napětí na zdroji (Vds)	100 V
	Typ balení	IPAK
	Počet kolíků	3
	Režim kanálu	Vylepšení
	Počet prvků na čip	1
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Přímé napětí (Vf)	1.5 V
	Výška	6.1 mm
	Délka	6.6 mm
	Maximální odpor zdroje (Rds)	180 mΩ
	Maximální napětí zdroje brány (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximální provozní teplota	150 °C
	Maximální ztrátový výkon (Pd)	2.5 W
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Normy/schválení	No
	Typický náboj brány (Qg) @ Vgs	8.7 nC
	Šířka	2.3 mm

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Automobilový standard Ne
	Řada QFET
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 10 A
	Maximální napětí na zdroji (Vds) 100 V
	Typ balení IPAK
	Počet kolíků 3
	Režim kanálu Vylepšení
	Počet prvků na čip 1
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Přímé napětí (Vf) 1.5 V
	Výška 6.1 mm
	Délka 6.6 mm
	Maximální odpor zdroje (Rds) 180 mΩ
	Maximální napětí zdroje brány (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximální provozní teplota 150 °C
	Maximální ztrátový výkon (Pd) 2.5 W
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Typ montáže Průchozí otvor
	Normy/schválení No
	Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 8.7 nC
	Šířka 2.3 mm

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

řada: QFET MOSFET FQU13N10LTU N-kanálový 10 A 100 V, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS