řada: QFET MOSFET FQP20N06 N-kanálový 20 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
671-5051
Výrobní číslo:
FQP20N06
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Automobilový standard

Ne

Řada

QFET

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

20 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

60 V

Typ balení

TO-220

Počet kolíků

3

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Přímé napětí (Vf)

1.5 V

Výška

9.4 mm

Délka

10.1 mm

Maximální odpor zdroje (Rds)

60 mΩ

Maximální napětí zdroje brány (Vgs)

-25 V, +25 V

Maximální provozní teplota

175 °C

Maximální ztrátový výkon (Pd)

53 W

Minimální provozní teplota

-55 °C

Typ montáže

Průchozí otvor

Normy/schválení

No

Typický náboj brány (Qg) @ Vgs

11.5 nC

Šířka

4.7 mm

Země původu (Country of Origin):
MY

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.