řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 900 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 166-1889
- Výrobní číslo:
- FQP9N90C
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 369,00 Kč
(bez DPH)
2 866,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 47,38 Kč | 2 369,00 Kč |
| 100 + | 44,538 Kč | 2 226,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-1889
- Výrobní číslo:
- FQP9N90C
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 900V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | QFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 205W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.1mm | |
| Výška | 9.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 900V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada QFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 205W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.1mm | ||
Výška 9.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
QFET® N-Channel MOSFET, 6 A až 10,9A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET FQP9N90C Typ N-kanálový 8 A 900 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 900 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQPF9N90CT Typ N-kanálový 8 A 900 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 47 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 30 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 27 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení