řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 3 A 800 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 164,60 Kč

(bez DPH)

1 409,15 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +23,292 Kč1 164,60 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-1890
Výrobní číslo:
FQPF3N80C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-220

Řada

QFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.8Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

13nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální ztrátový výkon Pd

39W

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

4.7 mm

Normy/schválení

No

Délka

10.16mm

Výška

9.19mm

Automobilový standard

Ne

QFET® N-Channel MOSFET, až 5,9A, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy