řada: QFET MOSFET FQP44N10 N-kanálový 43 A 100 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-5111
Výrobní číslo:
FQP44N10
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Řada

QFET

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

43 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

100 V

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Počet kolíků

3

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Výška

9.4 mm

Délka

10.1 mm

Maximální odpor zdroje (Rds)

39 mΩ

Maximální napětí zdroje brány (Vgs)

25 V, -25 V

Maximální provozní teplota

175 °C

Maximální ztrátový výkon (Pd)

146 W

Minimální provozní teplota

-55 °C

Typ montáže

Průchozí otvor

Šířka

4.7 mm

Země původu (Country of Origin):
MY

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.