řada: QFET MOSFET FQP6N40C N-kanálový 6 A 400 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 145-4311
- Výrobní číslo:
- FQP6N40C
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 145-4311
- Výrobní číslo:
- FQP6N40C
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Řada | QFET | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 6 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 400 V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 1 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximální provozní teplota | +150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 73 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Řada QFET | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 6 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 400 V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 1 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximální provozní teplota +150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 73 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET FQP17P10 16.5 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFET MOSFET FQP44N10 N-kanálový 43 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFET MOSFET FQP22N30 N-kanálový 21 A 300 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET P-kanálový QFET MOSFET FQP3P50 Typ P-kanálový 2.7 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 33 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDP33N25 N-kanálový 33 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFB9N65APBF N-kanálový 8.5 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFB13N50APBF N-kanálový 14 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý