řada: QFET MOSFET FQP6N40C N-kanálový 6 A 400 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 145-4311
- Výrobní číslo:
- FQP6N40C
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 145-4311
- Výrobní číslo:
- FQP6N40C
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 400V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | QFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 73W | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 400V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada QFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 73W | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
N-kanálový MOSFET QFET®, 6 A až 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Nové planární MOSFET QFET® od společnosti Fairchild Semiconductor využívají pokročilou, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou škálu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korigování výkonového faktoru), měničů DC/DC, plazmových displejů (PDP), předřadníků osvětlení a řízení pohybu.
Nabízejí sníženou ztrátu v zapnutém stavu snížením odporu v zapnutém stavu (RDS(on)), a sníženou ztrátu při spínání snížením náboje hradla (Qg) a výstupní kapacity (Coss). Díky technologii pokročilých procesů QFET® může společnost Fairchild nabízet lepší hodnotu (FOM) oproti konkurenčním zařízením Planar MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ON Semi
><
Polovodičové MOSFETy ON zajišťují vynikající konstrukční spolehlivost od snížení špiček napětí a přepětí až po snížení spojovací kapacity a zpětného obnovovacího náboje až po eliminaci dodatečných externích součástí pro udržení systémů v provozu a delší dobu.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET FQP17P10 16.5 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFET MOSFET FQP44N10 N-kanálový 43 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFET MOSFET FQP22N30 N-kanálový 21 A 300 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET P-kanálový QFET MOSFET FQP3P50 Typ P-kanálový 2.7 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 33 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDP33N25 N-kanálový 33 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFB9N65APBF N-kanálový 8.5 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFB13N50APBF N-kanálový 14 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý