MOSFET IRFB9N65APBF N-kanálový 8.5 A 650 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 541-1938
- Výrobní číslo:
- IRFB9N65APBF
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 541-1938
- Výrobní číslo:
- IRFB9N65APBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 930mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 930mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
MOSFET s kanálem N, 600 V až 1000 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SIHP MOSFET SIHP074N65E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP054N65E-GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP150N60E-GE3 N-kanálový 22 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFB13N50APBF N-kanálový 14 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFET MOSFET FQP17P10 16.5 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: E Výkonový MOSFET SiHP080N60E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHP110N65SF-GE3 N-kanálový 33 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení