řada: E Výkonový MOSFET SiHP080N60E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 228-2874
Výrobní číslo:: SiHP080N60E-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SiHP080N60E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*

4 327,45 Kč

(bez DPH)

5 236,20 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

650 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	86,549 Kč	4 327,45 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 228-2874
Výrobní číslo:: SiHP080N60E-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	35A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Řada	E
	Typ balení	JEDEC TO-220AB
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	80mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	42nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	227W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Řada E
	Typ balení JEDEC TO-220AB
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 227W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 35 A – SiHP080N60E-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínací tranzistor určený pro napájecí aplikace s průchozím otvorem, kde je vyžadován robustní tepelný a elektrický výkon. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí, podporuje spínací úkoly s mírným nábojem hradla a je umístěn v pouzdru TO-220AB pro snadné chladení a montáž na konvenční desky.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Možnost nepřetržitého proudu 35 A podporuje značné zatěžovací proudy
• Rds(on) 80 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při přenosu výkonu
• Maximální ztrátový výkon 227 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 42 nC zajišťuje předvídatelnou spínací energii
• Tolerance hradla ±30 V umožňuje široké rozpětí napětí pohonu

Aplikace

• Vhodné pro obvody SMPS a PFC odvozené ze sítě
• Ideální pro průmyslové stupně měničů pro pohon motoru
• Používá se s vysokonapěťovými měniči DC/DC v telekomunikacích
• Lze použít pro spínané osvětlení a systémy předřadníků
• Používá se v měničích pro nabíjení baterií a ukládání energie

Jaký tepelný rozsah může zařízení tolerovat v náročných prostředích?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje provoz v extrémních průmyslových teplotách.

Jak je zařízení určeno k montáži a chlazení?

Formát TO-220AB s průchozím otvorem umožňuje přímé připojení chladiče pro efektivní řízení teploty a napájecí konstrukce pro montáž na desku.

Jaké limity ovládání hradla by měly být při návrhu dodržovány?

Napětí zdroje brány nesmí překročit ±30 V, aby se zabránilo napětí oxidu brány a bylo zajištěno spolehlivé spínání.

Je součást vhodná pro úkoly spínání nízkonapěťových signálů?

Díky přímému napětí 1,2 V a konstrukci zaměřené na výkon je optimalizován pro převod vysokého napětí spíše než pro spínání nízkonapěťového signálu.