řada: E Výkonový MOSFET SIHP690N60E-GE3 N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 200-6821
- Výrobní číslo:
- SIHP690N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (25 jednotky/-ek, v balení po 25 ks)*
1 356,53 Kč
(bez DPH)
1 641,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 25 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 54,261 Kč | 1 356,53 Kč |
| 50 - 100 | 51,02 Kč | 1 275,50 Kč |
| 125 - 225 | 46,12 Kč | 1 153,00 Kč |
| 250 - 600 | 43,413 Kč | 1 085,33 Kč |
| 625 + | 40,706 Kč | 1 017,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 200-6821
- Výrobní číslo:
- SIHP690N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 700mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62.5W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada E | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 700mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 6,4 A – SIHP690N60E-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínací a výkonové převody v průmyslových elektronických systémech. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je dodáván v pouzdru TO-220AB s průchozím otvorem, který je vhodný pro běžné chladiče a ruční montážní kontexty.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota odtoku-zdroje 650 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6.4 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 700 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 62.5 W umožňuje značnou tepelnou manipulaci
• Nabíjení hradla 12 nC snižuje energii pohonu pro rychlejší spínání
• Tolerance hradlo-zdroj 30 V umožňuje flexibilní úrovně pohonu hradla
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6.4 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 700 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 62.5 W umožňuje značnou tepelnou manipulaci
• Nabíjení hradla 12 nC snižuje energii pohonu pro rychlejší spínání
• Tolerance hradlo-zdroj 30 V umožňuje flexibilní úrovně pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro offline napájecí zdroje a vysokonapěťové měniče
• Ideální pro spínání motorových pohonů a měničů
• Používá se s diskrétními spínanými napájecími zdroji v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro laboratorní prototypy vyžadující montáž do průchozího otvoru
• Vhodné pro stupně budiče ve vysokonapěťovém řízení osvětlení
• Ideální pro spínání motorových pohonů a měničů
• Používá se s diskrétními spínanými napájecími zdroji v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro laboratorní prototypy vyžadující montáž do průchozího otvoru
• Vhodné pro stupně budiče ve vysokonapěťovém řízení osvětlení
Jaký teplotní rozsah může tolerovat v náročných instalacích?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C a je vhodný pro náročné průmyslové prostředí.
Jaké možnosti montáže a chlazení jsou s ním kompatibilní?
Formát průchozího otvoru TO-220AB umožňuje přímou montáž na PCB a připojení k běžným chladičům pro lepší řízení teploty.
Jak jeho náboj hradla ovlivňuje výběr ovladače?
S typickým nábojem hradla 12 nC vyžaduje mírnou schopnost pohonu hradla, což umožňuje použití s kompaktními ovladači při zachování rozumné spínací rychlosti.
Je vhodný pro aplikace automobilové třídy?
Není specifikováno, že splňuje normy pro automobilový průmysl, takže je vhodnější pro obecné průmyslové a komerční elektronické návrhy.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHP690N60E-GE3 N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: E Výkonový MOSFET SiHP080N60E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHP186N60EF-GE3 N-kanálový 18 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: EF Výkonový MOSFET SiHP105N60EF-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIHP MOSFET SIHP054N65E-GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP150N60E-GE3 N-kanálový 22 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP074N65E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení