řada: E Výkonový MOSFET SIHP15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4991
- Výrobní číslo:
- SIHP15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 882,15 Kč
(bez DPH)
2 277,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 850 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 37,643 Kč | 1 882,15 Kč |
| 100 - 200 | 35,385 Kč | 1 769,25 Kč |
| 250 - 450 | 32,001 Kč | 1 600,05 Kč |
| 500 - 1200 | 30,114 Kč | 1 505,70 Kč |
| 1250 + | 28,237 Kč | 1 411,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 210-4991
- Výrobní číslo:
- SIHP15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 304mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 156W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.96mm | |
| Délka | 27.69mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.24mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada E | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 304mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 156W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.96mm | ||
Délka 27.69mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.24mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, zdrojové napětí vypouštění 800 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHP15N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení s N-kanálem určené pro montáž do průchozího otvoru v napájecích převodech a řídicích obvodech. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro aplikace vyžadující vysokou odolnost vůči napětí, střední schopnost stejnosměrného proudu a přepínání v režimu vylepšení řízeném bránou. Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-220AB se třemi kolíky pro instalaci do konvenční desky nebo chladiče.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 800 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje trvalé přenášení zátěže
• Rds(on) 304 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při spínání
• Rozptýlení výkonu 156 W umožňuje významnou tepelnou manipulaci
• Celkové nabití hradla 53 nC zajišťuje předvídatelnost požadavků na pohon hradla
• Tolerance hradla-zdroje 30 V umožňuje robustní napěťové rozpětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje trvalé přenášení zátěže
• Rds(on) 304 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při spínání
• Rozptýlení výkonu 156 W umožňuje významnou tepelnou manipulaci
• Celkové nabití hradla 53 nC zajišťuje předvídatelnost požadavků na pohon hradla
• Tolerance hradla-zdroje 30 V umožňuje robustní napěťové rozpětí
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Používá se pro tlumicí a svorkové obvody v průmyslových měničích
• Ideální pro spínané stupně výkonu v ovládacích prvcích osvětlení
• Lze použít pro přední konce motorových pohonů s montáží do průchozího otvoru
• Používá se s laboratorními zkušebními přístroji vyžadujícími manipulaci se zvýšeným napětím
• Používá se pro tlumicí a svorkové obvody v průmyslových měničích
• Ideální pro spínané stupně výkonu v ovládacích prvcích osvětlení
• Lze použít pro přední konce motorových pohonů s montáží do průchozího otvoru
• Používá se s laboratorními zkušebními přístroji vyžadujícími manipulaci se zvýšeným napětím
Jaký rozsah okolního prostředí může tolerovat v náročných instalacích?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v chladných i vysokoteplotních prostředích.
Jak je součást namontována pro efektivní rozptyl tepla?
Pouzdro TO-220AB je navrženo pro upevnění průchozím otvorem a lze jej namontovat na chladič pro lepší tepelný výkon.
Jaký typ kanálu a režimu vedení používá?
Zařízení je N-kanálový MOSFET s režimem zesílení, který vyžaduje kladný pohon hradla pro vedení.
Jaká elektrická charakteristika určuje pokles spínacího napětí?
Parametr propustného napětí 1,2 V indikuje chování vodivého napětí zařízení při průtoku propustného proudu.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHP15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHP5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: E Výkonový MOSFET SiHP080N60E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHP24N80AEF-GE3 N-kanálový 20 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHP11N80AEF-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIHP MOSFET SIHP155N60EF-GE3 N-kanálový 21 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP074N65E-GE3 N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení