řada: QFET MOSFET FQP22N30 Typ N-kanálový 21 A 300 V onsemi, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

365,31 Kč

(bez DPH)

442,025 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 5 jednotka(y) budou odesílané od 10. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4573,062 Kč365,31 Kč
50 - 9559,824 Kč299,12 Kč
100 - 24554,834 Kč274,17 Kč
250 - 49551,772 Kč258,86 Kč
500 +50,338 Kč251,69 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-5058
Výrobní číslo:
FQP22N30
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

21A

Maximální napětí na zdroji Vds

300V

Řada

QFET

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

160mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

47nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

170W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

10.1mm

Šířka

4.7 mm

Výška

9.4mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

QFET® N-Channel MOSFET, 11A až 30A, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy