řada: QFET MOSFET FQB4N80TM N-kanálový 3.9 A 800 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 146-2064
- Výrobní číslo:
- FQB4N80TM
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
13 871,20 Kč
(bez DPH)
16 784,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 800 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 + | 17,339 Kč | 13 871,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 146-2064
- Výrobní číslo:
- FQB4N80TM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | QFET | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.13W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Výška | 4.83mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada QFET | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.13W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Výška 4.83mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
QFET® N-Channel MOSFET, až 5,9A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET FQB4N80TM N-kanálový 3.9 A 800 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: QFET MOSFET N-kanálový 55 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQB50N06LTM N-kanálový 52 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQB55N10TM N-kanálový 55 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 33 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 22 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 11.5 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 27 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení