řada: QFET MOSFET FQB4N80TM N-kanálový 3.9 A 800 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 14%

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

56,32 Kč

(bez DPH)

68,15 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Výroba končí
  • Posledních 1 041 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
Úspora
1 - 956,32 Kč-
10 - 9948,41 Kč14%
100 - 24937,54 Kč33%
250 - 49936,56 Kč35%
500 +31,37 Kč44%

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0908
Výrobní číslo:
FQB4N80TM
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.9A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-263

Řada

QFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.6Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

3.13W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-30V, +30V

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Výška

4.83mm

Počet prvků na čip

1

Země původu (Country of Origin):
MY

QFET® N-Channel MOSFET, až 5,9A, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.