řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 11.5 A 200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 166-2528
Výrobní číslo:: FQB12P20TM
Výrobce:: onsemi

řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 11.5 A 200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*

17 262,40 Kč

(bez DPH)

20 887,20 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

800 jednotka(y) budou odesílané od 01. dubna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
800 +	21,578 Kč	17 262,40 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 166-2528
Výrobní číslo:: FQB12P20TM
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	11.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	200V
	Typ balení	TO-263
	Řada	QFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	470mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	31nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	3.13W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30 V
	Přímé napětí Vf	-5V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	4.83mm
	Šířka	9.65 mm
	Délka	10.67mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 200V
	Typ balení TO-263
	Řada QFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 470mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 31nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 3.13W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V
	Přímé napětí Vf -5V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 4.83mm
	Šířka 9.65 mm
	Délka 10.67mm
	Automobilový standard Ne

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím

• TCS s vysokou hustotou

• Vysoký sytost proudu

• vynikající přepínání

• Velmi odolný a spolehlivý výkon

• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení

• DC/DC převodník

• Ochrana baterií

• Ovládání řízení spotřeby

• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.