řada: QFET MOSFET FQB55N10TM N-kanálový 55 A 100 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-0914
- Výrobní číslo:
- FQB55N10TM
- Výrobce:
- onsemi
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 276,60 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
279,11 Kč
(bez DPH)
337,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- Plus 445 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 55,822 Kč | 279,11 Kč | - |
| 50 - 95 | 50,29 Kč | 251,45 Kč | 276,60 Kč |
| 100 + | 44,708 Kč | 223,54 Kč | 1 111,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0914
- Výrobní číslo:
- FQB55N10TM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | QFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 26mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.75W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada QFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 26mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.75W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Šířka 9.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
QFET® N-Channel MOSFET, přes 31A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET N-kanálový 55 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQB50N06LTM N-kanálový 52 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 33 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 22 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 11.5 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 27 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQB12P20TM Typ P-kanálový 11.5 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQB22P10TM Typ P-kanálový 22 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení