MOSFET FQU11P06TU 9.4 A 60 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 671-5335
- Výrobní číslo:
- FQU11P06TU
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 671-5335
- Výrobní číslo:
- FQU11P06TU
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | IPAK (TO-251) | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 185mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení IPAK (TO-251) | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 185mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Režim vylepšení P-kanál MOSFET, ON Semiconductor
Řada P-kanálových MOSFET společnosti ON Semiconductors je vyrobena pomocí patentované technologie DMOS společnosti ON Semi s vysokou hustotou článků. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu a zajistil robustní a spolehlivý výkon pro rychlé spínání.
Charakteristiky a výhody:
• Spínač malého signálu řízený napětím P-kanál
• Konstrukce článků s vysokou hustotou
• Vysoký saturační proud
• Vynikající přepínání
• Velmi robustní a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS
Aplikace:
• Přepínání zátěže
• Měnič DC/DC
• Ochrana baterie
• Řízení řízení napájení
• Řízení stejnosměrného motoru
Tranzistory MOSFET, ON Semi
><
Polovodičové MOSFETy ON zajišťují vynikající konstrukční spolehlivost od snížení špiček napětí a přepětí až po snížení spojovací kapacity a zpětného obnovovacího náboje až po eliminaci dodatečných externích součástí pro udržení systémů v provozu a delší dobu.
Související odkazy
- MOSFET RFD14N05L N-kanálový 14 A 50 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperFET II MOSFET FCU900N60Z N-kanálový 4.5 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1
- MOSFET IRLU110PBF N-kanálový 4.3 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFU9110PBF Typ P-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQU13N10LTU N-kanálový 10 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: HEXFET MOSFET IRFU120NPBF N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFU MOSFET IRFU110PBF N-kanálový 4.3 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení