MOSFET FQU11P06TU 9.4 A 60 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 671-5335
- Výrobní číslo:
- FQU11P06TU
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 671-5335
- Výrobní číslo:
- FQU11P06TU
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 9.4 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 60 V | |
| Typ balení | IPAK (TO-251) | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 185 mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximální provozní teplota | +150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 2.5 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 9.4 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 60 V | ||
Typ balení IPAK (TO-251) | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 185 mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximální provozní teplota +150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 2.5 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Související odkazy
- MOSFET RFD14N05L N-kanálový 14 A 50 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperFET II MOSFET FCU900N60Z N-kanálový 4.5 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1
- MOSFET IRLU110PBF N-kanálový 4.3 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFU9110PBF Typ P-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQU13N10LTU N-kanálový 10 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: HEXFET MOSFET IRFU120NPBF N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFU MOSFET IRFU110PBF N-kanálový 4.3 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení