řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK72E08N1,S1X(S Typ N-kanálový 157 A 80 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 125-0591
- Výrobní číslo:
- TK72E08N1,S1X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
172,16 Kč
(bez DPH)
208,315 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 34,432 Kč | 172,16 Kč |
| 25 - 45 | 20,748 Kč | 103,74 Kč |
| 50 - 120 | 18,92 Kč | 94,60 Kč |
| 125 - 245 | 18,722 Kč | 93,61 Kč |
| 250 + | 18,426 Kč | 92,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 125-0591
- Výrobní číslo:
- TK72E08N1,S1X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 157A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | U-MOSVIII-H | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 192W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.16mm | |
| Výška | 15.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 157A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada U-MOSVIII-H | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Přímé napětí Vf -1.7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 192W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.16mm | ||
Výška 15.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK100E06N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK40E10N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK72E12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK31E60X TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK32E12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK15S04N1L TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH11003NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH11006NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení