řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK15S04N1L,LQ(O N-kanálový 15 A 40 V Toshiba, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 133-2798
- Výrobní číslo:
- TK15S04N1L,LQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
91,69 Kč
(bez DPH)
110,95 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 18,338 Kč | 91,69 Kč |
| 25 - 45 | 15,55 Kč | 77,75 Kč |
| 50 - 245 | 15,056 Kč | 75,28 Kč |
| 250 - 495 | 14,578 Kč | 72,89 Kč |
| 500 + | 14,066 Kč | 70,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 133-2798
- Výrobní číslo:
- TK15S04N1L,LQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | U-MOSVIII-H | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 37mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 46W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada U-MOSVIII-H | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 37mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 46W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH8R903NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH11003NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH11006NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPN30008NH TSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPN11003NL TSON, počet kolíků: 8 kolíkový Toshiba Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK100E06N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK72E08N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TPC MOSFET TPC8227-H SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Toshiba Vylepšení 2 Izolovaný