řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPN11003NL,LQ(S N-kanálový 31 A 30 V, TSON, počet kolíků: 8 kolíkový Toshiba Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 133-2811
- Výrobní číslo:
- TPN11003NL,LQ(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
121,52 Kč
(bez DPH)
147,04 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 6,076 Kč | 121,52 Kč |
| 100 - 180 | 5,163 Kč | 103,26 Kč |
| 200 - 980 | 4,792 Kč | 95,84 Kč |
| 1000 - 1980 | 4,594 Kč | 91,88 Kč |
| 2000 + | 4,459 Kč | 89,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 133-2811
- Výrobní číslo:
- TPN11003NL,LQ(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | U-MOSVIII-H | |
| Typ balení | TSON | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 19W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Délka | 3.1mm | |
| Šířka | 3.1mm | |
| Výška | 850μm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada U-MOSVIII-H | ||
Typ balení TSON | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 19W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Délka 3.1mm | ||
Šířka 3.1mm | ||
Výška 850μm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPN30008NH TSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH11006NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK15S04N1L TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH8R903NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TPH11003NL SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 92 A 40 V Toshiba počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Toshiba počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET TPN3R704PL N-kanálový 92 A 40 V Toshiba počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení