řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN11003NL,LQ(S N-kanálový 31 A 30 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 133-2811
- Výrobní číslo:
- TPN11003NL,LQ(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
117,60 Kč
(bez DPH)
142,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 160 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
---|---|---|
20 - 80 | 5,88 Kč | 117,58 Kč |
100 - 180 | 4,99 Kč | 99,80 Kč |
200 - 980 | 4,62 Kč | 92,38 Kč |
1000 - 1980 | 4,45 Kč | 88,92 Kč |
2000 + | 4,31 Kč | 86,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 133-2811
- Výrobní číslo:
- TPN11003NL,LQ(S
- Výrobce:
- Toshiba
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
---|---|---|
Značka | Toshiba | |
Typ kanálu | N | |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 31 A | |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
Řada | U-MOSVIII-H | |
Typ balení | TSON | |
Typ montáže | Povrchová montáž | |
Počet kolíků | 8 | |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 16 mΩ | |
Režim kanálu | Vylepšení | |
Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.3V | |
Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1.3V | |
Maximální ztrátový výkon | 19 W | |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
Délka | 3.1mm | |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 7,5 nC při 10 V | |
Šířka | 3.1mm | |
Počet prvků na čip | 1 | |
Materiál tranzistoru | Si | |
Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
Propustné napětí diody | 1.2V | |
Výška | 0.85mm | |
Vybrat vše | ||
---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 31 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Řada U-MOSVIII-H | ||
Typ balení TSON | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 16 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.3V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon 19 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Délka 3.1mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 7,5 nC při 10 V | ||
Šířka 3.1mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Propustné napětí diody 1.2V | ||
Výška 0.85mm | ||
Související odkazy
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN30008NH TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPH11006NL SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPH11003NL SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPH8R903NL SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK15S04N1L DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK72E08N1 TO-220, počet kolíků: 3 Si
- řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK100E06N1 TO-220, počet kolíků: 3 Si
- MOSFET TPN2R304PL N-kanálový 100 A 40 V počet kolíků: 8 Jednoduchý