MPN

řada: TK MOSFET TK40E10N1,S1X(S N-kanálový 90 A 100 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 827-6220
Výrobní číslo:: TK40E10N1,S1X(S
Výrobce:: Toshiba

řada: TK MOSFET TK40E10N1,S1X(S N-kanálový 90 A 100 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

147,02 Kč

(bez DPH)

177,90 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za balení*
5 +	29,404 Kč	147,02 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 827-6220
Výrobní číslo:: TK40E10N1,S1X(S
Výrobce:: Toshiba

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Toshiba
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	TK
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	8.2mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	49nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	126W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	4.45mm
	Výška	15.1mm
	Délka	10.16mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Toshiba
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada TK
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 8.2mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 126W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 4.45mm
	Výška 15.1mm
	Délka 10.16mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

řada: TK MOSFET TK40E10N1,S1X(S N-kanálový 90 A 100 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Tranzistory MOSFET, Toshiba

Související odkazy