řada: TK MOSFET TK72E12N1,S1X(S N-kanálový 72 A 120 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 896-2436
- Výrobní číslo:
- TK72E12N1,S1X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
185,25 Kč
(bez DPH)
224,15 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 37,05 Kč | 185,25 Kč |
| 25 - 45 | 32,604 Kč | 163,02 Kč |
| 50 - 95 | 28,504 Kč | 142,52 Kč |
| 100 - 245 | 26,626 Kč | 133,13 Kč |
| 250 + | 25,194 Kč | 125,97 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 896-2436
- Výrobní číslo:
- TK72E12N1,S1X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 72A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | TK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 225W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.1mm | |
| Délka | 10.16mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.45mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 72A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 225W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.1mm | ||
Délka 10.16mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.45mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET TK72E12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 72 A 120 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK32E12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK40E10N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 60 A 120 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 90 A 100 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK72A08N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK72A12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
