řada: TK MOSFET TK32E12N1,S1X(S Typ N-kanálový 60 A 120 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-7971
- Výrobní číslo:
- TK32E12N1,S1X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 028,75 Kč
(bez DPH)
1 244,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 20,575 Kč | 1 028,75 Kč |
| 250 - 950 | 17,586 Kč | 879,30 Kč |
| 1000 - 2450 | 17,137 Kč | 856,85 Kč |
| 2500 + | 16,727 Kč | 836,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7971
- Výrobní číslo:
- TK32E12N1,S1X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | TK | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 98W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.16mm | |
| Výška | 15.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada TK | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 98W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.16mm | ||
Výška 15.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 60 A 120 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK72E12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 72 A 120 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK40E10N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 90 A 100 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK31E60X TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 56 A 120 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 42 A 120 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení