řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2
- Skladové číslo RS:
- 719-637
- Výrobní číslo:
- SGT350R70GTK
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 5000 kusů a ušetřete 4%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
46 312,50 Kč
(bez DPH)
56 037,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 18,525 Kč | 46 312,50 Kč | - |
| 5000 + | 17,606 Kč | 44 015,00 Kč | 4% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-637
- Výrobní číslo:
- SGT350R70GTK
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | G-HEMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 2 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 47W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -1.4V, 7V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 6.2mm | |
| Šířka | 6.7mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada G-HEMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 2 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 47W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -1.4V, 7V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 6.2mm | ||
Šířka 6.7mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor STMicroelectronics 700 V 6 A e-mode PowerGaN v kombinaci se zavedenou technologií balení. Výsledné zařízení G-HEMT nabízí mimořádně nízké ztráty vodivosti, vysokou proudovou kapacitu a mimořádně rychlý spínací provoz, který umožňuje vysokou hustotu výkonu a bezkonkurenční výkon. Doporučuje se pro spotřebitelské QR aplikace s nulovým zapínáním proudu.
Režim vylepšení normálně vypnutý tranzistor
Velmi vysoká spínací rychlost
Vysoká schopnost řízení napájení
Mimořádně nízké kapacity
Zdrojová podložka Kelvin pro optimální ovládání brány
Nabíjení bez reverzního obnovení
Ochrana ESD
Související odkazy
- řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 2
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT105R70ILB P-kanál-kanálový 21.7 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT190R70ILB P-kanál-kanálový 11.5 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT240R70ILB P-kanál-kanálový 10 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT140R70ILB P-kanál-kanálový 17 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT080R70ILB P-kanál-kanálový 29 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT070R70HTO P-kanál-kanálový 26 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 13 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD26P3LLH6 Typ P-kanálový 12 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový