řada: G-HEMT Tranzistor SGT070R70HTO P-kanál-kanálový 26 A 700 V STMicroelectronics, TO-LL, počet kolíků: 13 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-630
- Výrobní číslo:
- SGT070R70HTO
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
173,64 Kč
(bez DPH)
210,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 173,64 Kč |
| 5 - 9 | 149,19 Kč |
| 10 - 49 | 124,49 Kč |
| 50 - 99 | 116,58 Kč |
| 100 + | 108,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-630
- Výrobní číslo:
- SGT070R70HTO
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | Tranzistor | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 26A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Řada | G-HEMT | |
| Typ balení | TO-LL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 13 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -6, 7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 231W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 10.58mm | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu Tranzistor | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 26A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Řada G-HEMT | ||
Typ balení TO-LL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 13 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -6, 7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 231W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 10.58mm | ||
Šířka 10.4mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaN v kombinaci se zavedenou technologií balení. Výsledné zařízení G-HEMT zajišťuje mimořádně nízké ztráty vodivosti, vysokou proudovou kapacitu a mimořádně rychlý spínací provoz, který umožňuje vysokou hustotu výkonu a bezkonkurenční výkon účinnosti.
Režim vylepšení normálně vypnutý tranzistor
Velmi vysoká spínací rychlost
Vysoká schopnost řízení napájení
Mimořádně nízké kapacity
Zdrojová podložka Kelvin pro optimální ovládání brány
Nabíjení bez reverzního obnovení
Ochrana ESD
Související odkazy
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT080R70ILB P-kanál-kanálový 29 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT240R70ILB P-kanál-kanálový 10 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT140R70ILB P-kanál-kanálový 17 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT105R70ILB P-kanál-kanálový 21.7 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT190R70ILB P-kanál-kanálový 11.5 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 2
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 26 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMTA65R075M2HXTMA1 N kanál-kanálový 30 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový