řada: G-HEMT Tranzistor SGT240R70ILB P-kanál-kanálový 10 A 700 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-636
- Výrobní číslo:
- SGT240R70ILB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 30%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
84,23 Kč
(bez DPH)
101,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 270 jednotka(y) budou odesílané od 07. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 84,23 Kč | - |
| 10 - 99 | 58,29 Kč | 30% |
| 100 - 499 | 45,45 Kč | 46% |
| 500 - 999 | 42,48 Kč | 49% |
| 1000 + | 41,50 Kč | 50% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-636
- Výrobní číslo:
- SGT240R70ILB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Tranzistor | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Řada | G-HEMT | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 240mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 76W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -6V, 7V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 900μm | |
| Šířka | 8.1mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Tranzistor | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Řada G-HEMT | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 240mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 76W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -6V, 7V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 900μm | ||
Šířka 8.1mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor STMicroelectronics 700 V 10 A e-mode PowerGaN v kombinaci se zavedenou technologií balení. Výsledné zařízení G-HEMT zajišťuje mimořádně nízké ztráty vodivosti, vysokou proudovou kapacitu a mimořádně rychlý spínací provoz, který umožňuje vysokou hustotu výkonu a bezkonkurenční výkon účinnosti.
Režim vylepšení normálně vypnutý tranzistor
Velmi vysoká spínací rychlost
Vysoká schopnost řízení napájení
Mimořádně nízké kapacity
Zdrojová podložka Kelvin pro optimální ovládání brány
Nabíjení bez reverzního obnovení
Ochrana ESD
Související odkazy
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT105R70ILB P-kanál-kanálový 21.7 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT190R70ILB P-kanál-kanálový 11.5 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT140R70ILB P-kanál-kanálový 17 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT080R70ILB P-kanál-kanálový 29 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT070R70HTO P-kanál-kanálový 26 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 13 kolíkový
- řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 2
- řada: ST8L65 Jednoduché tranzistory MOSFET ST8L65N044M9 N-kanálový 58 A 650 V STMicroelectronics počet
- řada: ST8L60 Jednoduché tranzistory MOSFET ST8L60N065DM9 N-kanálový 39 A 600 V STMicroelectronics počet