řada: G-HEMT Tranzistor SGT190R70ILB P-kanál-kanálový 11.5 A 700 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 719-635
- Výrobní číslo:
- SGT190R70ILB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
32,85 Kč
(bez DPH)
39,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 32,85 Kč |
| 10 - 24 | 29,15 Kč |
| 25 - 99 | 28,41 Kč |
| 100 - 499 | 28,16 Kč |
| 500 + | 27,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-635
- Výrobní číslo:
- SGT190R70ILB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Tranzistor | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | G-HEMT | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 0.9mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Tranzistor | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada G-HEMT | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 0.9mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor STMicroelectronics 700 V 11,5 A e-mode PowerGaN v kombinaci se zavedenou technologií balení. Výsledné zařízení G-HEMT zajišťuje mimořádně nízké ztráty vodivosti, vysokou proudovou kapacitu a mimořádně rychlý spínací provoz, který umožňuje vysokou hustotu výkonu a bezkonkurenční výkon účinnosti.
Režim vylepšení normálně vypnutý tranzistor
Velmi vysoká spínací rychlost
Vysoká schopnost řízení napájení
Mimořádně nízké kapacity
Zdrojová podložka Kelvin pro optimální ovládání brány
Nabíjení bez reverzního obnovení
Ochrana ESD
Související odkazy
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT105R70ILB P-kanál-kanálový 21.7 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT080R70ILB P-kanál-kanálový 29 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT140R70ILB P-kanál-kanálový 17 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT240R70ILB P-kanál-kanálový 10 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT070R70HTO P-kanál-kanálový 26 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 13 kolíkový
- řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 2
- řada: ST8L65 Jednoduché tranzistory MOSFET ST8L65N044M9 Typ N-kanálový 58 A 650 V STMicroelectronics počet
- řada: ST8L60 Jednoduché tranzistory MOSFET ST8L60N065DM9 Typ N-kanálový 39 A 600 V STMicroelectronics počet