řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ520N20NM6ATMA1 Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon, PG-TSDSON-8FL, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 349-157
- Výrobní číslo:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
203,53 Kč
(bez DPH)
246,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 05. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 40,706 Kč | 203,53 Kč |
| 50 - 95 | 38,73 Kč | 193,65 Kč |
| 100 - 495 | 35,816 Kč | 179,08 Kč |
| 500 - 995 | 32,95 Kč | 164,75 Kč |
| 1000 + | 31,764 Kč | 158,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-157
- Výrobní číslo:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 26A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | PG-TSDSON-8FL | |
| Řada | ISZ | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 52mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.9nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 88W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 26A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení PG-TSDSON-8FL | ||
Řada ISZ | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 52mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.9nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 88W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon OptiMOS 6 nastavuje nový technologický standard. Řeší potřebu vysoké hustoty výkonu, vysoké účinnosti a vysoké spolehlivosti. Technologie OptiMOS 6 200 V byla navržena pro optimální výkon v aplikacích motorových pohonů, jako jsou LEV, vysokozdvižné vozíky a drony. Nový OptiMOS 6 se vyznačuje špičkovým RDS(on), vylepšenou schopností spínání a sdílení proudu, což umožňuje vysokou hustotu výkonu, menší paralelní zapojení a vynikající výkon v oblasti EMI.
Nízké ztráty vodivosti
Nízké spínací ztráty
Stabilní provoz s vylepšeným EMI
Vyžaduje méně paralelizace
Lepší sdílení proudu při paralelním zapojení
Šetrné k životnímu prostředí
Související odkazy
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ143N13NM6ATMA1 Typ N-kanálový 54 A 135 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ OptiMOSTM výkonový MOSFET ISZ040N03L5ISATMA1 Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ MOSFET ISZ019N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ OptiMOSTM výkonový MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ028N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 128 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ033N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 109 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISZ810P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.5 A 60 V Infineon počet