řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISZ810P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.5 A 60 V Infineon, PG-TSDSON-8FL, počet
- Skladové číslo RS:
- 284-806
- Výrobní číslo:
- ISZ810P06LMATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
253,67 Kč
(bez DPH)
306,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 25,367 Kč | 253,67 Kč |
| 100 - 240 | 24,058 Kč | 240,58 Kč |
| 250 - 490 | 22,354 Kč | 223,54 Kč |
| 500 - 990 | 20,575 Kč | 205,75 Kč |
| 1000 + | 19,834 Kč | 198,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-806
- Výrobní číslo:
- ISZ810P06LMATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -19.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS Power Transistor | |
| Typ balení | PG-TSDSON-8FL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 81mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -19.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS Power Transistor | ||
Typ balení PG-TSDSON-8FL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 81mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET od společnosti Infineon je pokročilý výkonový tranzistor s výjimečným výkonem a spolehlivostí, který je ideální volbou pro náročné průmyslové aplikace. Řada výkonových tranzistorů Infineon OptiMOS vyniká energetickou účinností díky nízkému odporu, který zajišťuje minimální ztráty energie během provozu. Jeho robustní konstrukce je plně kvalifikovaná podle standardů JEDEC, což poskytuje klid inženýrům, kteří hledají odolné komponenty. Pracuje při napětí 60 V a je přizpůsoben pro vysoce výkonné aplikace při zachování nízkého tepelného odporu, což umožňuje efektivní řízení tepla.
Konfigurace kanálu P optimalizuje řízení proudu
Kompatibilita logických úrovní pro snadné propojení
Lavinový test spolehlivosti při zátěži
Bezolovnaté pokovování splňuje ekologické předpisy
Bezhalogenová konstrukce podporuje čistší výrobu
Vylepšené tepelné vlastnosti pro konzistentní provoz
Vysoký trvalý odtokový proud pro různé aplikace
Související odkazy
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISZ810P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.5 A 60 V Infineon počet
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISZ330N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 24 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISZ106N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 62 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ0901NSIATMA1 Typ N-kanálový 142 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ0902NSATMA1 Typ N-kanálový 106 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 106 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 142 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC16DP15LMATMA1 Typ P-kanálový -22 A 150 V Infineon počet kolíků: 8