řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISZ106N12LM6ATMA1 N-kanálový 62 A 120 V Infineon, PG-TSDSON-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 285-061
- Výrobní číslo:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 182,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
361,61 Kč
(bez DPH)
437,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 72,322 Kč | 361,61 Kč | - |
| 50 - 95 | 68,666 Kč | 343,33 Kč | 182,80 Kč |
| 100 - 495 | 63,528 Kč | 317,64 Kč | 879,40 Kč |
| 500 - 995 | 58,588 Kč | 292,94 Kč | 6 867,00 Kč |
| 1000 + | 56,366 Kč | 281,83 Kč | 15 956,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 285-061
- Výrobní číslo:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Typ balení | PG-TSDSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 94W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Typ balení PG-TSDSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 94W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET vyniká ve vysoce výkonných aplikacích a je navržen tak, aby vyhovoval potřebám moderních elektronických systémů. Jeho pokročilá N-kanálová technologie poskytuje pozoruhodnou účinnost a spolehlivost, takže je ideální pro vysokofrekvenční spínací operace. Tento produkt je určen pro profesionály v terénu a kombinuje nízký odpor při zapnutí s vynikajícími vlastnostmi nabíjení brány. Díky tomu je vhodnou volbou pro synchronní usměrňování a průmyslové aplikace.
Velmi nízký odpor zvyšuje účinnost
Optimalizováno pro vysokofrekvenční spínání
Vysoký lavinový energetický rating pro spolehlivost
Výborné nabíjení brány pro rychlou odezvu
Bezolovnaté pokovení pro zajištění shody
Pracuje při teplotách od 55 °C do 175 °C
MSL 1 klasifikováno pro snadnou výrobu
Související odkazy
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISZ106N12LM6ATMA1 N-kanálový 62 A 120 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISZ330N12LM6ATMA1 N-kanálový 24 A 120 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISZ810P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.5 A 60 V Infineon počet
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC16DP15LMATMA1 Typ P-kanálový -22 A 150 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC240P06LMATMA1 Typ P-kanálový -59 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC104N12LM6ATMA1 N-kanálový 63 A 120 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC750P10LMATMA1 Typ P-kanálový -32 A 100 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC800P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.6 A 60 V Infineon počet kolíků: 8