řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC073N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 86 A 120 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků:
- Skladové číslo RS:
- 285-048
- Výrobní číslo:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
428,30 Kč
(bez DPH)
518,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 85,66 Kč | 428,30 Kč |
| 50 - 95 | 81,264 Kč | 406,32 Kč |
| 100 + | 75,336 Kč | 376,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 285-048
- Výrobní číslo:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 86A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Typ balení | PG-TDSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 86A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Typ balení PG-TDSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET od společnosti Infineon je pokročilý výkonový tranzistor s N kanálem, který vyniká ve vysokofrekvenčních spínacích aplikacích. Je navržen s inovativní technologií OptiMOS 6 a poskytuje výjimečnou účinnost a výkon. Díky nízkému odporu při zapnutí a vysoké lavinové energii je tato součástka optimalizována pro náročné průmyslové aplikace a zajišťuje spolehlivý provoz i v náročných tepelných prostředích. Jeho kompaktní balení PG TDSON 8 dále zvyšuje jeho použitelnost a usnadňuje integraci do různých konstrukcí. Tranzistor pracuje bez problémů v širokém teplotním rozsahu, což usnadňuje všestranné použití v mnoha aplikacích.
Konstrukce kanálu N pro vyšší výkon
Optimalizováno pro vysokofrekvenční spínání
Nízký odpor zvyšuje energetickou účinnost
Vysoký lavinový rating zajišťuje spolehlivost
Kompaktní balení šetří konstrukční prostor
Pro udržitelnost splňuje požadavky směrnice RoHS
MSL 1 pro snadné pájení
Vnitřní dioda v těle zlepšuje funkčnost
Související odkazy
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC073N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 86 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC16DP15LMATMA1 Typ P-kanálový -22 A 150 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC800P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.6 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC240P06LMATMA1 Typ P-kanálový -59 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC104N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 63 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC750P10LMATMA1 Typ P-kanálový -32 A 100 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC037N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 120 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISZ810P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.5 A 60 V Infineon počet