řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC800P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.6 A 60 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 285-058
- Výrobní číslo:
- ISC800P06LMATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
96,82 Kč
(bez DPH)
117,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,364 Kč | 96,82 Kč |
| 50 - 95 | 18,426 Kč | 92,13 Kč |
| 100 - 495 | 17,092 Kč | 85,46 Kč |
| 500 - 995 | 15,71 Kč | 78,55 Kč |
| 1000 + | 15,116 Kč | 75,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 285-058
- Výrobní číslo:
- ISC800P06LMATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -19.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PG-TDSON-8 | |
| Řada | OptiMOS Power Transistor | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -19.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PG-TDSON-8 | ||
Řada OptiMOS Power Transistor | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor OptiMOS s tranzistorem MOSFET společnosti Infineon nově definuje účinnost díky vynikající technologii kanálu P, která je určena pro vysoce výkonné aplikace. Díky průraznému napětí 60 V je navržen pro robustní průmyslové použití a zajišťuje spolehlivý výkon v různých provozních podmínkách. Jedinečné pouzdro SuperSO8 umožňuje optimální odvod tepla, čímž zvyšuje spolehlivost a životnost zařízení. Tento tranzistor prochází přísným testováním, včetně 100% lavinového testování, což zaručuje, že splňuje nejvyšší standardy spolehlivosti a kvality. Díky špičkovému nízkému odporu v oboru výrazně snižuje ztráty energie, což z něj činí vynikající volbu pro energeticky šetrné konstrukce.
Velmi nízký odpor zvyšuje účinnost
100% lavinové testování spolehlivosti
Bezolovnaté pokovení pro zajištění shody
Bezhalogenová konstrukce podporuje šetrnost k životnímu prostředí
Provoz na logické úrovni pro snadné propojení
Vhodné pro různé průmyslové aplikace
Vynikající tepelné vlastnosti zajišťují spolehlivost
Konstrukce režimu vylepšení pro stabilní výkon
Související odkazy
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC800P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.6 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC240P06LMATMA1 Typ P-kanálový -59 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC750P10LMATMA1 Typ P-kanálový -32 A 100 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC16DP15LMATMA1 Typ P-kanálový -22 A 150 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC037N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 120 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC104N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 63 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC073N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 86 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC030N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 120 V počet kolíků: 8 kolíkový