řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC030N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 120 V, PG-TSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-782
- Výrobní číslo:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*
387 840,00 Kč
(bez DPH)
469 285,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 5000 + | 77,568 Kč | 387 840,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-782
- Výrobní číslo:
- ISC030N12NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Typ balení | PG-TSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Typ balení PG-TSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET od společnosti Infineon je nejmodernější výkonový tranzistor určený pro vysokofrekvenční spínací aplikace, který se vyznačuje výjimečným výkonem a účinností. Tento MOSFET s N kanálem je optimalizován pro použití v různých průmyslových aplikacích a zajišťuje špičkovou spolehlivost i v náročných podmínkách. Díky nízkému odporu při zapnutí a pozoruhodným vlastnostem nabíjení hradla zvyšuje výkon v systémech synchronní rektifikace a přeměny energie. Zařízení pracuje efektivně při vysokých teplotách, takže je vhodné pro celou řadu aplikací v různých odvětvích. Jeho kompaktní pouzdro PG TSON 8 3 umožňuje další úspory místa a zároveň zajišťuje vynikající tepelný výkon, takže je preferovanou volbou pro inženýry, kteří hledají vysoce kvalitní řešení správy napájení.
Velmi nízký odpor minimalizuje ztráty energie
Vysoká účinnost s vynikajícím nábojem na hradle
Bezproblémový provoz ve vysokofrekvenčních aplikacích
Vysoké lavinové energetické hodnocení pro dlouhou životnost
Účinně pracuje až do 175 °C
Splňuje bezpečnostní normy RoHS
Klasifikace MSL 1 pro flexibilní manipulaci
Optimalizováno pro výkon synchronní rektifikace
Související odkazy
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC030N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 120 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC037N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 120 V počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC800P06LMATMA1 Typ P-kanálový -19.6 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC240P06LMATMA1 Typ P-kanálový -59 A 60 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC750P10LMATMA1 Typ P-kanálový -32 A 100 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC16DP15LMATMA1 Typ P-kanálový -22 A 150 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC104N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 63 A 120 V Infineon počet kolíků:
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC073N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 86 A 120 V Infineon počet kolíků: