řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISZ106N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 62 A 120 V Infineon, PG-TSDSON-8, počet kolíků:

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

146 240,00 Kč

(bez DPH)

176 950,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
5000 +29,248 Kč146 240,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
285-060
Výrobní číslo:
ISZ106N12LM6ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

62A

Maximální napětí na zdroji Vds

120V

Typ balení

PG-TSDSON-8

Řada

OptiMOS 6 Power Transistor

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

10.6mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

94W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

Ne

Výkonový tranzistor Infineon MOSFET vyniká ve vysoce výkonných aplikacích a je navržen tak, aby vyhovoval potřebám moderních elektronických systémů. Jeho pokročilá N-kanálová technologie poskytuje pozoruhodnou účinnost a spolehlivost, takže je ideální pro vysokofrekvenční spínací operace. Tento produkt je určen pro profesionály v terénu a kombinuje nízký odpor při zapnutí s vynikajícími vlastnostmi nabíjení brány. Díky tomu je vhodnou volbou pro synchronní usměrňování a průmyslové aplikace.

Velmi nízký odpor zvyšuje účinnost

Optimalizováno pro vysokofrekvenční spínání

Vysoký lavinový energetický rating pro spolehlivost

Výborné nabíjení brány pro rychlou odezvu

Bezolovnaté pokovení pro zajištění shody

Pracuje při teplotách od 55 °C do 175 °C

MSL 1 klasifikováno pro snadnou výrobu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.