řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ028N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 128 A 30 V Infineon, PG-TSDSON-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 348-902
- Výrobní číslo:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
183,52 Kč
(bez DPH)
222,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 18,352 Kč | 183,52 Kč |
| 100 - 240 | 17,438 Kč | 174,38 Kč |
| 250 - 490 | 16,154 Kč | 161,54 Kč |
| 500 - 990 | 14,845 Kč | 148,45 Kč |
| 1000 + | 14,277 Kč | 142,77 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-902
- Výrobní číslo:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 128A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | ISZ | |
| Typ balení | PG-TSDSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 128A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada ISZ | ||
Typ balení PG-TSDSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET Infineon StrongIRFET 2 30 V v pouzdře PQFN 3,3 x 3,3. Má ve své třídě nejlepší RDS(on) 2,8 mOhm v pouzdře PQFN 3,3 x 3,3. Tento produkt je určen pro širokou škálu aplikací od nízkých až po vysoké spínací frekvence. Ve srovnání s předchozí technologií dosahuje až 40% zlepšení RDS(on) a zároveň až 60% zlepšení FOM a vynikající robustnosti.
Výrobky pro všeobecné použití
Vynikající robustnost
Vynikající poměr cena/výkon
Široká dostupnost u distributorů
Standardní balení a vývody
Vysoké výrobní a dodavatelské standardy
Související odkazy
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ033N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 109 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ520N20NM6ATMA1 Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ143N13NM6ATMA1 Typ N-kanálový 54 A 135 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ MOSFET ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Typ N-kanálový 63 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISZ MOSFET ISZ056N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 72 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ OptiMOSTM výkonový MOSFET ISZ040N03L5ISATMA1 Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ MOSFET ISZ019N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení