řada: ISZ MOSFET ISZ056N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 72 A 30 V Infineon, PG-TSDSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 348-900
- Výrobní číslo:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
381,86 Kč
(bez DPH)
462,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 19,093 Kč | 381,86 Kč |
| 200 - 480 | 18,142 Kč | 362,84 Kč |
| 500 - 980 | 16,796 Kč | 335,92 Kč |
| 1000 - 1980 | 15,475 Kč | 309,50 Kč |
| 2000 + | 14,882 Kč | 297,64 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-900
- Výrobní číslo:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 72A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | ISZ | |
| Typ balení | PG-TSDSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 72A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada ISZ | ||
Typ balení PG-TSDSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET Infineon StrongIRFET 2 30 V v pouzdře PQFN 3,3 x 3,3. Výkonový MOSFET StrongIRFET 2 společnosti Infineon s napětím 30 V má ve své třídě nejlepší RDS(on) 5,6 mOhm v pouzdře PQFN 3,3 x 3,3. Tento produkt je určen pro širokou škálu aplikací od nízkých až po vysoké spínací frekvence.
Výrobky pro všeobecné použití
Vynikající robustnost
Vynikající poměr cena/výkon
Široká dostupnost u distributorů
Standardní balení a vývody
Vysoké výrobní a dodavatelské standardy
Související odkazy
- řada: ISZ MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ MOSFET ISZ019N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ OptiMOSTM výkonový MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISZ MOSFET ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Typ N-kanálový 63 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ033N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 109 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ028N03LF2SATMA1 Typ N-kanálový 128 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ143N13NM6ATMA1 Typ N-kanálový 54 A 135 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISZ Výkonový tranzistor ISZ520N20NM6ATMA1 Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 8