řada: STripFET MOSFET STD26P3LLH6 Typ P-kanálový 12 A 30 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 792-5717
- Výrobní číslo:
- STD26P3LLH6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
240,33 Kč
(bez DPH)
290,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 420 jednotka(y) budou odesílané od 19. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 24,033 Kč | 240,33 Kč |
| 20 + | 22,823 Kč | 228,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5717
- Výrobní číslo:
- STD26P3LLH6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | STripFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada STripFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 10 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET F6 MOSFET STD35P6LLF6 Typ P-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD10P6F6 Typ P-kanálový 10 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STD12NF06T4 Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STD12NF06LT4 Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STD20NF06LT4 Typ N-kanálový 24 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
