řada: STripFET II MOSFET STD12NF06LT4 Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 10 kusech)*

189,20 Kč

(bez DPH)

228,90 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 020 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za pásku*
10 - 9018,92 Kč189,20 Kč
100 - 24017,932 Kč179,32 Kč
250 - 49016,648 Kč166,48 Kč
500 - 99015,314 Kč153,14 Kč
1000 +14,721 Kč147,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-907
Výrobní číslo:
STD12NF06LT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

TO-252

Řada

STripFET II

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

90mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

7.5nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±16 V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

2.4mm

Délka

10.1mm

Normy/schválení

RoHS

Šířka

6.6 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET, Je speciálně navržen tak, aby minimalizoval vstupní kapacitu a náboj hradla. Díky tomu je zařízení vhodné pro použití jako primární spínač v pokročilých vysoce účinných izolovaných DC-DC měničích pro telekomunikační a počítačové aplikace a pro aplikace s nízkými požadavky na řízení hradla.

Výjimečná schopnost dv/dt

100% lavinově testováno

Nízký náboj hradla

Související odkazy