řada: STripFET II MOSFET STD25NF10T4 Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-917
- Výrobní číslo:
- STD25NF10T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
251,69 Kč
(bez DPH)
304,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 7 450 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 25,169 Kč | 251,69 Kč |
| 100 - 490 | 16,771 Kč | 167,71 Kč |
| 500 - 990 | 13,239 Kč | 132,39 Kč |
| 1000 - 2490 | 12,128 Kč | 121,28 Kč |
| 2500 + | 10,868 Kč | 108,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-917
- Výrobní číslo:
- STD25NF10T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 38Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada STripFET II | ||
Typ balení TO-252 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 38Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada výkonových tranzistorů STMicroelectronics Power MOSFET byla vyvinuta pomocí procesu STripFET, který je speciálně navržen tak, aby minimalizoval vstupní kapacitu a náboj hradla. Díky tomu je zařízení vhodné pro použití jako primární spínač v moderních vysoce účinných izolovaných měničích stejnosměrného proudu na stejnosměrný proud pro telekomunikační a počítačové aplikace.
Výjimečná schopnost dv/dt
100% lavinově testováno
Nízký náboj hradla
Související odkazy
- řada: STripFET II MOSFET STD25NF10T4 Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STD25NF10LT4 Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STD17NF25 Typ N-kanálový 17 A 250 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STD12NF06T4 Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STD35NF06LT4 Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STD60NF06T4 Typ N-kanálový 60 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STD12NF06LT4 Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový