řada: STripFET II MOSFET STD12NF06T4 Typ N-kanálový 12 A 60 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 20 kusech)*

498,46 Kč

(bez DPH)

603,14 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za pásku*
20 - 18024,923 Kč498,46 Kč
200 - 48023,688 Kč473,76 Kč
500 - 98021,922 Kč438,44 Kč
1000 - 198020,205 Kč404,10 Kč
2000 +19,414 Kč388,28 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-938
Výrobní číslo:
STD12NF06T4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

STripFET II

Typ balení

TO-252

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.1Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12nC

Maximální ztrátový výkon Pd

30W

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Řada výkonových tranzistorů STMicroelectronics Power MOSFET byla vyvinuta pomocí procesu STripFET, který je speciálně navržen tak, aby minimalizoval vstupní kapacitu a náboj hradla. Díky tomu je zařízení vhodné pro použití jako primární spínač v moderních vysoce účinných izolovaných měničích stejnosměrného proudu na stejnosměrný proud pro telekomunikační a počítačové aplikace.

Výjimečná schopnost dv/dt

100% lavinově testováno

Nízký náboj hradla

Související odkazy